Hjælp

SSD - Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P4T0BW
Varenummer: 3103448
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, overførselshastighed: 7450 MB/s (læs) / 6900 MB/s (skriv), IOPS: 1400000 IOPS (læs) / 1550000 IOPS (skriv), 4GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hardware kryptering: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

På lager
2.790,00 kr. 2.232,00 kr. ekskl. moms
Gratis fragt (privatkunde)
På lager – Levering i morgen (bestil inden kl. 22)

Lagerstatus i vores Pick-up Points

  • Aarhus (+15 stk.)

    På lager, kan afhentes
  • København (1 stk.)

    På lager, kan afhentes

The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.

Producent
Varenummer
3103448
Model
MZ-V9P4T0BW
Ean
8806094947205
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vægt
9 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Højde
2.3 mm
Vægt
9 g

Præstation

Intern datahastighed
7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
1600000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1,500,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Interface
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.5 Watt (gennemsnitlig)
55 mW (ledig)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
IEEE 1667

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som kan virke misvisende.