Hjælp

SSD - Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P4T0BW
Varenummer: 3103448
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, overførselshastighed: 7450 Mbps (læs) / 6900 Mbps (skriv), IOPS: 1400000 Mbps (læs) / 1550000 Mbps (skriv), 4GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hardware kryptering: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

2.390,00 kr.
1.912,00 kr. ekskl. moms
Bestilt - forventet på lager 21-12-2023
Billigste privatfragt 0,00 kr.

Pick-up Points lagerstatus

  • Aarhus (0 stk.)

    Ikke på lager
  • København (0 stk.)

    Ikke på lager
JULERETURRET FREM TIL 31/1 2024

Proshop tilbyder udvidet julereturret frem til 31/1 2024, dette gælder til privatkunder på ordrer købt i perioden fra 1/11 2023 til 23/12 2023. Læs betingelser her.

Bestil senest den 22. december for levering inden jul, dette gælder for lagervarer og levering med PostNord pakkeshop.

Producent
Varenummer
3103448
Model
MZ-V9P4T0BW
Ean
8806094947205
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vægt
9 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Højde
2.3 mm
Vægt
9 g

Præstation

Intern datahastighed
7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write
1550000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
1600000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1,500,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Interface
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.5 Watt (gennemsnitlig)
55 mW (ledig)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
IEEE 1667

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som kan virke misvisende.