SSD - Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P2T0BW
Varenummer: 3103447
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW
MZ-V9P2T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 2 TB, intern, overførselshastighed: 7450 MB/s (læs) / 6900 MB/s (skriv), IOPS: 1400000 IOPS (læs) / 1550000 IOPS (skriv), 2GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hardware kryptering: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, farve: sort

På lager
1.349,00 kr. 1.079,20 kr. ekskl. moms
Gratis fragt (privatkunde)
På lager - 2-3 dages levering

Lagerstatus i vores Pick-up Points

  • Aarhus (+15 stk.)

    På lager, kan afhentes
  • København (0 stk.)

    Bestil nu og afhent onsdag efter kl. 12

Opnå maksimal ydelse med PCIe 4.0. Oplev en længerevarende, modstander-sprængende hastighed. Den interne controllers smarte varmekontrol leverer suveræn strømeffektivitet, mens den opretholder voldsom hastighed og ydeevne, så du kan forblive på toppen af dit spil.

Producent
Varenummer
3103447
Model
MZ-V9P2T0BW
Ean
8806094215038
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
2 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Dataoverførselshastighed
8 GBps
Egenskaber
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM cache, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, stand-by modus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vægt
9 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
2 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM cache, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, stand-by modus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Højde
2.3 mm
Vægt
9 g

Præstation

SSD-udholdenhed
1200 TB
Overføringshastighed, drev
8 GBps (ekstern)
Intern datahastighed
7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
4KB Random Read
1400000 IOPS
4KB Random Write
1550000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1,500,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.8 Watt (læs)
5.1 Watt (skriv)
55 mW (ledig)
5 mW (L1.2 tilstand)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Pakkedetaljer
Boks

Ovenstående informationer/specifikationer kan løbende ændres. I tilfælde af trykfejl vedrørende pris eller udsolgte varer bestræber vi os på hurtigst muligt at opdatere siden. Hvis en pris er åbenlyst forkert, er Proshop ikke forpligtet til at levere det pågældende produkt til den forkerte pris. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som virker misvisende.