Varenummer: 2971898

Samsung PM9A3 SSD - 3.8TB - M.2 22110 PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 3.84 TB, intern, overførselshastighed: 6900 MB/s (læs) / 4100 MB/s (skriv), IOPS: 1000000 IOPS (læs) / 180000 IOPS (skriv), størrelse: U.2 / 2.5", PCI-Express 4.0 x4 tilslutning, NVMe 1.4 (Non-Volatile Memory Express), hardware kryptering: 256-XTS bit TCG Opal, Samsung Elpis controller, farve: sort, optimeret til server brug

Læs mere
24.031,00 kr. 19.224,80 kr. ekskl. moms
Gratis fragt (privatkunde)
Fjernlager, 3 dages levering

Lagerstatus i vores Pick-up Points

  • Aarhus (0 stk.)

    Ikke på lager

  • København (0 stk.)

    Ikke på lager

For at vise dette indhold skal du acceptere cookies.

Skift cookie-samtykke
Bemærk

Grundet stor efterspørgsel er købsantallet begrænset til 2 stk. pr. kunde, da vi ønsker at tilgodese så mange som muligt.

Har du forespørgsel på større antal end vi tillader, kan du kontakte vores kundeservice.

The Samsung SSD PM9A3 presents outstanding performance with instant responsiveness to the host system, by applying the Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 interface standard, as well as highly efficient Non-Volatile Memory Express (NVMe) Protocol.

By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.

In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.

Producent
Varenummer
2971898
Model
MZ1L23T8HBLA-00A07
Ean
8592978395070
Til producentens hjemmeside
Kontakt producent
Produktbeskrivelse
Samsung PM9A3 MZ1L23T8HBLA - SSD - 3.84 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
3.84 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES-XTS
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 22110
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Dimensioner (B x D x H)
22 mm x 110 mm x 3.8 mm
Vægt
20 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
3.84 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES-XTS
NAND Flashhukommelses-type
Fler-niveaus celle (MLC)
Model
M.2 22110
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Byte pr. sektor
512
Egenskaber
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Bredde
22 mm
Dybde
110 mm
Højde
3.8 mm
Vægt
20 g

Præstation

Intern datahastighed
5500 MBps (læs) / 2000 MBps (skriv)
4KB Random Read
800000 IOPS
4KB Random Write
85000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
2,000,000 timer
Ikke-korrigerbare fejl
1 pr. 10^17

Ekspansion og forbindelse

Interface
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel bås
M.2 22110

Effekt

Strømforbrug
8.2 watt (læs)
8.2 watt (skriv)
2.5 watt (ledig)

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, halogenfri

Miljømæssige parametre

Min. driftstemperatur
0 °C
Maks. driftstemperatur
70 °C
Min. lagertemperatur
-40 °C
Maks. Opbevaringstemperatur
85 °C
Fugtighedsgrad ved brug
5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)
1500 g
Vibration tolerance (non-operativ)
20 g @ 10-2000 Hz

Ovenstående informationer/specifikationer kan løbende ændres. I tilfælde af trykfejl vedrørende pris eller udsolgte varer bestræber vi os på hurtigst muligt at opdatere siden. Hvis en pris er åbenlyst forkert, er Proshop ikke forpligtet til at levere det pågældende produkt til den forkerte pris. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som virker misvisende.