MZ-N6E250BW - Samsung 860 EVO M.2 2280 SSD - 250GB

Samsung 860 EVO M.2 2280 SSD - 250GB

SSD (Solid state drive), 250 GB, intern, Datahastighed: 550 MBps (læs) / 520 MBps (skriv), IOPS: 97000 (læs) / 88000 (skriv), 512 MB LPDDR4 cache, M.2 2280 (80mm) - Samsung 3-core MJX Controller

Varenummer: 2634281
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
MZ-N6E250BW
317,00 kr.
253,60 kr. ekskl. moms
Fjernlager, 5-8 dages levering (Forventes på eget lager 25-11-2020)
Billigste privatfragt 29,00 kr.
Pick-up Points lagerstatus
Aarhus
0 stk.
Ikke på lager
København
0 stk.
Ikke på lager

Detaljer

Producent: Samsung
Varenummer: 2634281
Model: MZ-N6E250BW
Ean: 8801643068684

Til producentens hjemmeside

www.samsung.com/dk/memory-stor...
ProduktbeskrivelseSamsung 860 EVO MZ-N6E250BW - solid state drive - 250 GB - SATA 6Gb/s
TypeSolid state drive - intern - stødsikret, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology
Kapacitet250 GB
Hardware krypteringJa
Krypterings algoritme256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type3D multi-niveaucelle (MLC)
ModelM.2 2280
GrænsefladeSATA 6Gb/s
Dataoverførselshastighed600 MBps
Buffer størrelse512 MB
EgenskaberStødsikret, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667
Dimensioner (B x D x H)22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vægt8 g

Generelt

Enhedstype Solid state drive - intern
Kapacitet 250 GB
Hardware kryptering Ja
Krypterings algoritme 256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type 3D multi-niveaucelle (MLC)
Model M.2 2280
Grænseflade SATA 6Gb/s
Buffer størrelse 512 MB
Egenskaber Stødsikret, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667
Bredde 22.15 mm
Dybde 80.15 mm
Højde 2.38 mm
Vægt 8 g

Præstation

SSD-udholdenhed 150 TB
Overføringshastighed, drev 600 MBps (ekstern)
Intern datahastighed 550 MBps (læs) / 520 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write 88000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning 97000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl) 1,500,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Interface 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibel bås M.2 2280

Effekt

Strømforbrug 2.2 Watt (gennemsnitlig)
4 Watt (maksimum)
Innovative V-NAND Technology with Enhanced Read/Write Performance.

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten.
Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.

});