GP-ASM2NE6100TTTD - GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD - 1TB

GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD - 1TB

SSD (Solid state drive), 1 TB, intern, Datahastighed: 5000 MBps (læs) / 4400 MBps (skriv), IOPS: 750000 (læs) / 700000 (skriv), 1GB DDR4 cache, M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 NVMe 1.3 (Non-Volatile Memory Express) - Phison PS5016-E16 Controller

Varenummer: 2777527
GP-ASM2NE6100TTTD
GP-ASM2NE6100TTTD
GP-ASM2NE6100TTTD
GP-ASM2NE6100TTTD
1.682,00 kr.
1.345,60 kr. ekskl. moms
Bestilt - ukendt leveringsdato
Billigste privatfragt 0,00 kr.
Pick-up Points lagerstatus
Aarhus
0 stk.
Ikke på lager
København
0 stk.
Ikke på lager

KØB DINE JULEGAVER NU

Hos Proshop tilbyder vi udvidet julereturret til privatkunder på ordrer købt i perioden fra 1. november 2020 t.o.m. 23. december 2020. Julegaver kan returneres frem til 29.01.2021.


LÆS MERE

Detaljer

Producent: GIGABYTE
Varenummer: 2777527
Model: GP-ASM2NE6100TTTD
Ean: 4719331805784

Til producentens hjemmeside

www.gigabyte.com/Solid-State-D...
ProduktbeskrivelseAORUS - solid state drive - 1000 GB - PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
TypeSolid state drive - intern - TRIM support, Wear Leveling Support, LDCP-fejlrettelse, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, Phison PS5016-E16 controller
Kapacitet1000 GB
Integreret kølelegemeYes
NAND Flashhukommelses-type3D triple-level cell (TLC)
ModelM.2 2280
GrænsefladePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Buffer størrelse1 GB
EgenskaberTRIM support, Wear Leveling Support, LDCP-fejlrettelse, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, Phison PS5016-E16 controller, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H)80.5 mm x 23.5 mm x 11.4 mm

Generelt

Enhedstype Solid state drive - intern
Kapacitet 1000 GB
NAND Flashhukommelses-type 3D triple-level cell (TLC)
Integreret kølelegeme Yes
Model M.2 2280
Grænseflade PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Buffer størrelse 1 GB
Egenskaber TRIM support, Wear Leveling Support, LDCP-fejlrettelse, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, Phison PS5016-E16 controller, S.M.A.R.T.
Bredde 80.5 mm
Dybde 23.5 mm
Højde 11.4 mm

Præstation

SSD-udholdenhed 1800 TB
Intern datahastighed 5000 MBps (læs) / 4400 MBps (skriv)
4KB Random Read 750000 IOPS
4KB Random Write 700000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl) 1,770,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Interface 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibel bås M.2 2280

Effekt

Strømforbrug 6.6 Watt (læs)
6.4 Watt (skriv)
18.8 mW (ledig)

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten.
Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.

});