Varenummer: 2380760

Samsung 4GB DDR3 1600MHz

Hukommelse, 4 GB, SO DIMM 204-pin, DDR3, 1600 MHz / PC3-12800, CL11, 1.5 V, ikke bufferet, Ikke-paritet

Varen er udgået
Se lignende produkter

Samsung DDR3 SDRAM is the optimal memory for today's powerful, compute intensive hardware and software platforms. In particular, DDR3 is the ideal memory for the data center, which has a well-documented need for more performance with less energy consumption. Server electricity expenditures are increasing annually, with an average data center consuming the equivalent energy of 25,000 households.

Producent
Varenummer
2380760
Model
M471B5273DH0-CK0
Ean
5712505629352
Til producentens hjemmeside
Kontakt producent
Produktbeskrivelse
Samsung - DDR3 - modul - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - ikke bufferet
Produkttype
Hukommelsesmodul
Kapacitet
4 GB
Hukommelsestype
DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN
Opgraderingstype
Generisk
Dataintegritetskontrol
Ikke-ECC
Hastighed
1600 MHz (PC3-12800)
Søgetids Timinger
CL11 (11-11-11)
Egenskaber
Dual rank, otte banke, ikke bufferet
Spænding
1.5 V

Generelt

Kapacitet
4 GB
Opgraderingstype
Generisk

Hukommelse

Type
DRAM hukommelsesmodul
Teknologi
DDR3 SDRAM
Model
SO DIMM 204-PIN
Modul Højde (tommer)
1.18
Hastighed
1600 MHz (PC3-12800)
Søgetids Timinger
CL11 (11-11-11)
Dataintegritetskontrol
Ikke-ECC
Egenskaber
Dual rank, otte banke, ikke bufferet
Modulkonfiguration
512 x 64
Organisering af chips
256 x 8
Spænding
1.5 V

Ekspansion / Konnektivitet

Kompatible åbninger
1 x Hukommelse - SO DIMM 204-PIN

Ovenstående informationer/specifikationer kan løbende ændres. I tilfælde af trykfejl vedrørende pris eller udsolgte varer bestræber vi os på hurtigst muligt at opdatere siden. Hvis en pris er åbenlyst forkert, er Proshop ikke forpligtet til at levere det pågældende produkt til den forkerte pris. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som virker misvisende.